特許
J-GLOBAL ID：200903052089558633

半導体装置の製造方法

発明者：
本郷 俊明

本郷 俊明 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-063455
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260767
出願日： 1999年03月10日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：
【要約】【課題】 電気的特性が良好で、成膜速度の大きい絶縁膜を備えた半導体装置を製造すること。【解決手段】 電気的特性の良い第1のSiN膜21と、第1のSiN膜21よりも成膜速度の大きい第2のSiN膜22とを積層してゲ-ト絶縁膜2を形成する。つまり先ず希ガスとNとHとを含み、Siを含まないガスであって、希ガスの含有量が50%以上99%以下の第1のガスを高周波プラズマ化し、このプラズマによりシリコン基板1の表面を窒化して第1のSiN膜21を形成する。次いで希ガスとNとSiを含み、希ガスの含有量が50%以上99%以下の第2のガスを高周波プラズマ化し、このプラズマにより第1のSiN膜21の表面に第2のSiN膜22を形成する。
請求項（抜粋）：
希ガスと窒素と水素又は希ガスとアンモニアとを含み、シリコンを含まないガスであって、希ガスの含有量が50%以上99%以下のガスをプラズマ化し、このプラズマによりシリコン基板の表面を窒化して第1のシリコン窒化膜を形成する工程と、次いで希ガスと窒素とシリコンとを含み、希ガスの含有量が50%以上99%以下のガスをプラズマ化し、このプラズマにより第1のシリコン窒化膜の表面に、第1のシリコン窒化膜よりも成膜速度の大きい第2のシリコン窒化膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/318 ,  H01L 29/78
FI (2件)：
H01L 21/318 M ,  H01L 29/78 301 G
Fターム (26件)：
5F040DC01 ,  5F040ED01 ,  5F040ED03 ,  5F040ED05 ,  5F040EK01 ,  5F040FC00 ,  5F058BA01 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF54 ,  5F058BF55 ,  5F058BF60 ,  5F058BF62 ,  5F058BF63 ,  5F058BF64 ,  5F058BF65 ,  5F058BF73 ,  5F058BF74 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ10
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • 特開昭59-169142
  • 特開昭56-084462
  • プラズマCVD法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-240410   出願人：キヤノン株式会社
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審査官引用 (7件)
  • 特開昭59-169142
  • 特開昭56-084462
  • プラズマCVD法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-240410   出願人：キヤノン株式会社
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