特許
J-GLOBAL ID:200903036202218059
シリコン溶融用坩堝
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
森 道雄 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-002521
公開番号(公開出願番号):特開平9-249494
出願日: 1997年01月10日
公開日(公表日): 1997年09月22日
要約:
【要約】【課題】シリコン溶融坩堝の寿命延長およびシリコン単結晶の内質の改善。【解決手段】(1) 石英坩堝をカーボン坩堝の内部に挿入した二重構造のシリコン溶融用坩堝であって、前記石英坩堝の上部が逆円錐帯状の傾斜部を有するシリコン溶融用坩堝。 上記傾斜部の角度αを5〜40°とするのが望ましい。(2) 前記石英坩堝とカーボン坩堝の上部に、断面鈎状のカーボン製リングが挿入されているシリコン溶融用坩堝。(3) 上記カーボンリングが、断面が下方に開いたコの字形のカーボン製リングまたはカーボン製クリップが挿入されているシリコン溶融用坩堝。
請求項(抜粋):
石英坩堝をカーボン坩堝の内部に挿入した二重構造のシリコン溶融用坩堝であって、前記石英坩堝の上部に逆円錐帯状の傾斜部を有するシリコン溶融用坩堝。
IPC (3件):
C30B 29/06 502
, C30B 15/10
, H01L 21/208
FI (3件):
C30B 29/06 502 B
, C30B 15/10
, H01L 21/208 P
引用特許:
審査官引用 (8件)
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特開昭64-076992
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シリコン単結晶引き上げ用石英るつぼ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-188116
出願人:川崎製鉄株式会社
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特開平2-188490
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特開平3-290393
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特開昭64-072985
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単結晶の製造方法及びその装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-133677
出願人:日立電線株式会社
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半導体単結晶引上装置のルツボ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-038728
出願人:コマツ電子金属株式会社
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特開昭63-274686
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