特許
J-GLOBAL ID：200903036216207033
高アスペクト比酸化鉄ウィスカー、高アスペクト比酸化チタンウィスカー及びこれらを含む構造並びにその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
入交 孝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-082789
公開番号（公開出願番号）：特開2005-306727
出願日： 2005年03月22日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：
【課題】磁気記録用磁性体、マイクロマシン部品等として有用な高アスペクト比酸化鉄ウィスカー及び酸化チタンウィスカー、及びこれらを基板に立設した触媒などとして有用な構造体の提供。【解決手段】 鉄以外の金属原子の含有率が10at%以下、直径5nm以上2μm以下でかつアスペクト比が20以上の酸化鉄ウィスカー、チタン以外の金属原子の含有率が10at%以下であって、直径5nm以上20μm以下、かつアスペクト比が5以上の酸化チタンウィスカー、及びこれらのウィスカーを密に立設した基板などの構造体。 上記ウィスカーは磁気特性などに優れ、又これらを立設した構造体は、触媒として接触面積が大きく、かつ目詰まりを生じないなどの優れた特性を有し、有用である。 これらの酸化物ウィスカーは、鉄系又はチタン系材料を高温化で酸化性雰囲気に接触させて表面の鉄又はチタン原子と接触した酸素を反応させ、酸化物ウィスカーとして成長させる。 【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
鉄系材料からなる基板最表層上に直接高アスペクト比の酸化鉄ウィスカーを立設した基板。
IPC (5件)：
C30B29/62
, C01G23/04
, C01G49/02
, C30B1/02
, C30B1/10
C30B29/62 A
, C30B29/62 C
, C01G23/04 Z
, C01G49/02 Z
, C30B1/02
, C30B1/10
4G002AA02
, 4G002AB01
, 4G002AD01
, 4G047CA02
, 4G047CB04
, 4G047CD05
, 4G077AA04
, 4G077BB04
, 4G077BB10
, 4G077CA04
, 4G077CA05
, 4G077CA08
, 4G077EA02
, 4G077EA07
, 4G077ED06
, 4G077HA03
, 4G077HA20
, 4G077JA03
, 4G077JB02
, 4G077JB08
, 4G077JB12
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (5件)
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引用文献：
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