特許
J-GLOBAL ID：200903036239491960
半導体装置を製作する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 義明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-042113
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250595
出願日： 1996年02月05日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置における導電性プラグを形成する上で、接着層の形成および除去に関連する製造時間を低減する。【解決手段】 半導体装置30に窒化アルミニウムの接着層42を使用することにより導電性プラグ46が形成される。前記接着層はコンタクト開口44を形成する前に層間誘電体40の上に被着され、従って接着層が開口の側壁または底部に沿って形成されない。タングステンまたは他のプラグ材料が次に前記開口内および接着層上に被着されかつ引き続き研磨またはエッチングし戻されてプラグを形成する。接着層の残りの部分は状況に応じて装置内に残ってもよくあるいは除去されてもよい。
請求項（抜粋）：
半導体装置を製作する方法であって、金属相互接続部を有する半導体基板を提供する段階、前記金属相互接続部の上に層間誘電体を被着する段階、前記層間誘電体の上に窒化アルミニウムからなる接着層を被着する段階、前記層間誘電体および前記接着層の双方を通して開口をエッチングする段階であって、該開口は前記金属相互接続部の上に位置しかつその一部を露出するもの、前記開口を充填するのに十分に前記接着層の上にかつ前記開口内へ導電性プラグ材料を被着する段階、そして前記導電性プラグ材料を研磨し戻して前記開口内にかつ前記金属相互接続部に電気的に接続された導電性プラグを形成する段階、を具備することを特徴とする半導体装置を製作する方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/3205
H01L 21/90 B
, H01L 21/88 B
