半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：和泉良彦 , 小林茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-123332
公開番号（公開出願番号）：特開2004-327890
出願日： 2003年04月28日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：

【課題】イオン注入並びにそれに伴う高温での熱処理を要することなく、オン抵抗を維持しつつ逆方向電圧印加時の漏れ電流を低減することが可能な高耐圧半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基体からなるカソード領域2と、カソード領域2とショットキー接続するべく所定のショットキー障壁を形成するような金属材料からなるアノード電極4と、カソード領域2と接しかつアノード電極4とは接しないカソード電極5を有する半導体装置において、カソード領域2とアノード電極4とのショットキー接合面の周辺で、カソード領域2と接するアノード領域3を有し、さらに、アノード領域3が、カソード領域2とはバンドギャップが異なり、かつ、前記ショットキー障壁より障壁高さが低いヘテロ障壁をカソード領域2と形成するようなヘテロ半導体からなる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基体からなるカソード領域と、前記カソード領域とショットキー接続するべく所定のショットキー障壁を形成するような金属材料からなるアノード電極と、前記カソード領域と接しかつ前記アノード電極とは接しないカソード電極を有する半導体装置において、前記カソード領域と前記アノード電極とのショットキー接合面の周辺で、前記カソード領域と接するアノード領域を有し、さらに、前記アノード領域が、前記カソード領域とはバンドギャップが異なり、かつ、前記ショットキー障壁より障壁高さが低いヘテロ障壁を前記カソード領域と形成するようなヘテロ半導体からなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L29/47 , H01L29/872

FI (2件)：

H01L29/48 F , H01L29/48 D

Fターム (16件)：

4M104AA01 , 4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104AA10 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB09 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104CC03 , 4M104FF02 , 4M104FF27 , 4M104GG03 , 4M104HH18

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体整流素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-211576 出願人：株式会社日立製作所
GaAsショットキーバリアダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-170844 出願人：株式会社島津製作所
ショットキーバリア半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-278433 出願人：株式会社村田製作所

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