特許
J-GLOBAL ID：200903036283969509

固体撮像素子及びその製造方法

発明者：
菰口 徹哉

菰口 徹哉 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-373745
公開番号（公開出願番号）：特開2004-207433
出願日： 2002年12月25日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：
【課題】光導波路から光電変換部への金属拡散による白点増加を抑制し、画質の向上を図る。【解決手段】フォトダイオード1の受光領域上にプラズマ窒化シリコンよりなる第1光導波部9Aとポリイミドよりなる第2光導波部9Bで構成した光導波路を設ける。そして、水素を含有したプラズマ窒化シリコンの形成後に水素雰囲気中でアニール処理を施すことにより、フォトダイオード1内への水素供給を促進する。これにより、ポリイミド等からフォトダイオード1内に拡散される金属によって生じる結晶欠陥を抑制し、白点低減効果を得る。また、光導波路を形成する際に用いるエッチングストッパ膜5Aを構成するLP-窒化シリコンを受光領域以外の領域、例えばトランジスタの上層に設けることにより、水素の浸入を防止し、特性劣化を防止する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成された光電変換部と、前記半導体基板上にゲート絶縁膜を介して設けられた上層膜と、前記上層膜の上面から前記光電変換部の受光領域上のゲート絶縁膜にかけて形成された孔部と、前記孔部内に埋め込まれた光導波部とを有し、 前記光導波部は少なくとも水素を含有する第1の高屈折率材を有して形成され、 前記光電変換部は水素雰囲気中の熱処理によって前記第1の高屈折率材から光電変換部側に放出された水素が含有されている、 ことを特徴とする固体撮像素子。
IPC (4件)：
H01L27/146 ,  H01L27/14 ,  H01L31/10 ,  H04N5/335
FI (4件)：
H01L27/14 A ,  H04N5/335 U ,  H01L27/14 D ,  H01L31/10 A
Fターム (42件)：
4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA09 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA32 ,  4M118CA34 ,  4M118FA06 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  4M118GA06 ,  4M118GA07 ,  4M118GA09 ,  4M118GB03 ,  4M118GC07 ,  4M118GD03 ,  4M118GD07 ,  5C024AX01 ,  5C024CX00 ,  5C024CX03 ,  5C024CY47 ,  5C024EX22 ,  5C024EX42 ,  5C024GX03 ,  5F049MA01 ,  5F049NA01 ,  5F049NA04 ,  5F049NA20 ,  5F049NB03 ,  5F049NB05 ,  5F049PA05 ,  5F049PA11 ,  5F049PA14 ,  5F049PA18 ,  5F049PA20 ,  5F049QA20 ,  5F049RA06 ,  5F049SS02 ,  5F049SZ06 ,  5F049SZ11 ,  5F049SZ16 ,  5F049SZ20
引用特許：
審査官引用 (3件)

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