特許
J-GLOBAL ID：200903036291958575
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-041799
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242068
出願日： 1997年02月26日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】 N型ウエル層の中にP型ウエル層を形成しているので、シリコン基板表面の不純物濃度が高くなる問題点があった。【解決手段】 P型シリコン基板に深いN型ウエル層形成用の注入マスクとして、レジストマスクを用いて、第1のリンイオン注入を行い、ロコス酸化を行い同時に、N型ウエル層を形成する。次に、レジストマスクを用いて、多段階でリンイオン注入し、高濃度N型ウエル層を囲むように、N型ウエル層を形成する。次に、レジストマスクを用いて、多段階で、ボロンをイオン注入し、P型ウエル層を形成する。その後、熱処理を施すことによって、深いN型ウエル層からシリコン基板に至るN型ウエル層を形成すると共に、N型ウエル層に囲まれた領域にP型ウエル層を形成する。
請求項（抜粋）：
第1の導電型の半導体基板の表面から所定の深さに第2導電型不純物注入する第1イオン注入を行った後、アニール処理し、第2導電型の第1ウエル層を形成する工程と、上記第1ウエル層から上記半導体基板表面までの、上記第1ウエル層上部の半導体基板内部を囲むように、第2導電型の不純物を注入エネルギーを変えて、複数回行う第2イオン注入及び、上記第1ウエル層から上記半導体基板表面までの、上記第1ウエル層上の半導体基板内部全体に、第1導電型の不純物を注入エネルギーを変えて、複数回行う第3イオン注入を行い、上記第2イオン注入後と上記第3イオン注入後とに、又は第3イオン注入後にアニール処理を行うことにより、第2イオン注入領域に第2導電型の第2ウエル層を、上記第3イオン注入領域に第3ウエル層を形成する工程とを有することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/265
, H01L 27/08 331
, H01L 27/115
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 21/265 F
, H01L 27/08 331 B
, H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
