特許
J-GLOBAL ID:200903036307616572

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 作田 康夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-156037
公開番号(公開出願番号):特開2000-003937
出願日: 1996年05月30日
公開日(公表日): 2000年01月07日
要約:
【要約】【課題】本発明は半導体パッケージ構造において、実装基板として有機材料を用いた場合も、実装基板と半導体素子の熱膨張率差を吸収する緩衝体を有することにより優れた接続信頼性をもつ半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】半導体素子と実装基板の熱膨張率差によって生じる熱応力の緩衝体としてフィルム材料を用いたことを特徴とする半導体装置。前記フィルム材料のリフロー温度域(200〜250°C)の弾性率が1MPa以上であることを特徴とする。
請求項(抜粋):
半導体素子と、誘電体フィルム上に配線層を有する配線テープと、該半導体素子と該配線テープとの間に介在して熱応力を緩和する応力緩衝層として機能する接着用フィルムと、実装基板に接続するための外部端子とを備え、該半導体素子は中央と周辺のいずれか一方にパッドが配置され、該接着用フィルムは多孔質の支持体を有し、該接着用フィルムを介して該半導体素子のパッドを有する面と該配線テープとが絶縁性を保持して接着され、該配線テープ上にある接続リードが該半導体素子の該パッドに接続され、該配線テープに実装基板に接続するための該外部端子が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60
FI (2件):
H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/60 311 R
引用特許:
審査官引用 (5件)
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