特許
J-GLOBAL ID：200903036327390040
半導体ウエーハの製造方法およびこの方法で製造される半導体ウエーハ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-082605
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260771
出願日： 1998年03月13日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】【課題】 気相エッチングを行う半導体ウエーハの製造方法で問題となる、原料ウエーハの形状の影響によるウエーハ加工時間の長時間化、不安定化及びそれらに伴う生産性の悪化を解決し、高平坦度である半導体ウエーハの生産性が高い製造方法を提供する。【解決手段】 少なくともウエーハに気相エッチングを行う半導体ウエーハの製造方法において、前記気相エッチングを行う前に、ウエーハを凹形状とし、かつウエーハの面粗さを低減することを特徴とする半導体ウエーハの製造方法。
請求項（抜粋）：
少なくともウエーハに気相エッチングを行う半導体ウエーハの製造方法において、前記気相エッチングを行う前に、ウエーハを凹形状とすることを特徴とする半導体ウエーハの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 622
, H01L 21/3065
H01L 21/304 622 P
, H01L 21/302 C
, H01L 21/302 N
