特許
J-GLOBAL ID：200903036388322292

閾値電圧の分布が緊密化するように不揮発性メモリを非リアルタイムで再プログラミングする方法

発明者：
モクレシー ニーマ

モクレシー ニーマ について


出願人/特許権者：
サンディスク コーポレイション

サンディスク コーポレイション について


代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-516619
公開番号（公開出願番号）：特表2009-541909
出願日： 2007年05月25日
公開日（公表日）： 2009年11月26日
要約：
不揮発性記憶素子の集合に初期プログラミングが実施された後に、例えば、制御が待機モードに入ったときや、他の保留中の読み出しまたは書き込みタスクがないとき等に、非リアルタイムで、高い検証レベルを用いた再プログラミングが実施される。再プログラミングでは、セット中のページを一度にプログラムし、他の読み出しタスクまたは書き込みタスクが保留中になればページ境界で停止し、制御が再度利用可能となれば再開することが可能である。状態フラグによって、ページおよび/またはページセットの再プログラミングが完了したかどうかを識別することが可能である。別の態様では、再プログラミング中に、高いパス電圧が選択されていないワード線に印加される。さらに別の態様では、読み出し電圧のデフォルトセットを用いてエラーカウントが判定され、このカウント値が閾値を超えていれば、代替の読み出し電圧セットが選択される。
請求項（抜粋）：
初期プログラミングにおいて、複数のワード線のうちの最初のワード線から始めて、隣接する各ワード線に順に移行して、複数のワード線のうちの最後のワード線に到達するまで、複数のワード線を介して複数の不揮発性記憶素子をプログラミングするステップと、 初期プログラミングが完了した後に、複数のワード線を介して複数の不揮発性記憶素子を再プログラミングするステップ、 を有することを特徴とする不揮発性ストレージを動作させる方法。
IPC (3件)：
G11C 16/02 ,  G11C 16/06 ,  G11C 16/04
FI (6件)：
G11C17/00 611F ,  G11C17/00 633D ,  G11C17/00 611A ,  G11C17/00 611E ,  G11C17/00 601E ,  G11C17/00 622E
Fターム (36件)：
5B125BA02 ,  5B125BA19 ,  5B125CA19 ,  5B125DA01 ,  5B125DA03 ,  5B125DA09 ,  5B125DB01 ,  5B125DB08 ,  5B125DB09 ,  5B125DB12 ,  5B125DB14 ,  5B125DB18 ,  5B125DB19 ,  5B125DC01 ,  5B125DC03 ,  5B125DC11 ,  5B125DC12 ,  5B125DD02 ,  5B125DE02 ,  5B125DE07 ,  5B125DE08 ,  5B125DE20 ,  5B125EA05 ,  5B125EA08 ,  5B125EA10 ,  5B125EB08 ,  5B125EB10 ,  5B125EE03 ,  5B125EH04 ,  5B125EK06 ,  5B125EK07 ,  5B125EK10 ,  5B125FA01 ,  5B125FA06 ,  5B125FA07 ,  5B125FA10
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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