特許
J-GLOBAL ID:200903036415708157
多層配線基板
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-043677
公開番号(公開出願番号):特開平10-242651
出願日: 1997年02月27日
公開日(公表日): 1998年09月11日
要約:
【要約】【課題】配線導体が高密度に形成することができず、また全体の形状が大型化する。【解決手段】基板1上に、有機樹脂絶縁層3a、3b、3cと薄膜配線導体層4a、4b、4cとを交互に多層に配設するとともに上下に位置する薄膜配線導体層4a、4b、4cを各有機樹脂絶縁層3a、3b、3cに設けたスルーホール導体9を介して接続してなる多層配線基板であって、前記有機樹脂絶縁層3a、3b、3cの少なくとも1層に穴部Hを設け、該穴部H内に誘電体磁器10を挿入させるととも誘電体磁器10の上下面に有機樹脂層11を介して薄膜配線導体層4a、4bの一部を対向配置させた。
請求項(抜粋):
基板上に、有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体層とを交互に多層に配設するとともに上下に位置する薄膜配線導体層を各有機樹脂絶縁層に設けたスルーホール導体を介して接続してなる多層配線基板であって、前記有機樹脂絶縁層の少なくとも1層に穴部を設け、該穴部内に誘電体磁器を挿入させるととも誘電体磁器の上下面に有機樹脂層を介して薄膜配線導体層の一部を対向配置させたことを特徴とする多層配線基板。
IPC (4件):
H05K 3/46
, H01L 23/12
, H01L 27/01 301
, H05K 1/16
FI (5件):
H05K 3/46 Q
, H05K 3/46 H
, H01L 27/01 301
, H05K 1/16 D
, H01L 23/12 N
引用特許: