半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-210883
公開番号（公開出願番号）：特開平10-055674
出願日： 1996年08月09日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【課題】回路構成を複雑化することなく、しかもチップサイズの増大やコストアップを生じることなくRMW(リード・モディファイ・ライト)の高速化を実現する。【解決手段】メモリセル5からデータをリードするためのリードバスRBと、メモリセル5に対してモデファイしたデータをライトするためのライトバスWBとを独立して設け、リードデータとライトデータとが衝突されないようにする。メモリセルに対するデータのリード/ライトは、ロウ/カラムアドレスにより選択され、クロックに同期してコマンドを入力することにより実行されるが、第1のリードが終了されて第1のライトが行われる間に、第2のリードを開始することで、RMWサイクルを連続して行う際のサイクル時間を短縮し、RMWの高速化が実現できる。回路構成を複雑化する必要がなく、チップの縮小化が可能となり、かつコストダウンが実現できる。

請求項（抜粋）：

メモリセルからデータを読み出し(リード)し、リードしたデータを装飾処理し、この装飾されたデータを前記メモリセルに書き込む(ライト)するリード・モデファイ・ライト(RMW)サイクルを実行する半導体記憶装置において、前記リードデータのリードバスと、ライトデータのライトバスとを独立して設けたことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 11/409 , G11C 11/413 , G11C 11/401

FI (3件)：

G11C 11/34 354 A , G11C 11/34 J , G11C 11/34 362 C

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭59-154688
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-100861 出願人：松下電器産業株式会社
半導体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-068318 出願人：株式会社日立製作所

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