特許

J-GLOBAL ID：200903036495255956

酸化亜鉛系導電膜製造用のイオンプレーティング用ターゲットとその製法、および酸化亜鉛系導電膜の製法

発明者： 黒岩 信幸 ,  辻 一弘 ,  山本 哲也
出願人/特許権者： ハクスイテック株式会社 ,  学校法人高知工科大学
代理人 (4件)： 植木 久一 ,  菅河 忠志 ,  二口 治 ,  伊藤 浩彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-246404
公開番号（公開出願番号）：特開2007-056351
出願日： 2005年08月26日
公開日（公表日）： 2007年03月08日
要約：

【課題】 イオンプレーティング法において、スプラッシュの発生を抑制し、又は発生することなしに、均質で高性能の酸化亜鉛系導電膜を与えるターゲットとその有用な製法を提供すること。【解決手段】 酸化亜鉛主体の焼結体からなり、X線回折パターンにおいて(100)、(002)、(101)面による回折ピークを有し、該回折ピークの何れかの半値幅が0.110度以下である酸化亜鉛系導電膜形成用のイオンプレーティング用ターゲットを開示する。

請求項（抜粋）：

酸化亜鉛主体の焼結体からなり、X線回折分析において(100)面、(002)面および(101)面に回折ピークを有し、該回折ピークのうち何れか1以上の半値幅が0.110度以下であることを特徴とする酸化亜鉛系導電膜製造用のイオンプレーティング用ターゲット。

IPC (2件)：

C23C 14/32 ,  C04B 35/453

FI (2件)：

C23C14/32 A ,  C04B35/00 P

Fターム (17件)：

4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA67 ,  4G030BA02 ,  4G030CA01 ,  4G030CA07 ,  4G030GA04 ,  4G030GA08 ,  4G030GA09 ,  4G030GA11 ,  4G030GA19 ,  4G030GA24 ,  4G030GA27 ,  4K029BA49 ,  4K029BC09 ,  4K029CA03 ,  4K029DD05

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 酸化亜鉛系透明導電膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-251530   出願人：住友重機械工業株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所
• 酸化物膜の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-175034   出願人：日本真空技術株式会社

審査官引用 (2件)

• ZnO系焼結体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-110362   出願人：住友金属鉱山株式会社
• スパッタリング用ターゲット及び透明導電ガラス並びに透明導電フィルム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-058385   出願人：出光興産株式会社