特許
J-GLOBAL ID：200903036501650692
不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-273138
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111871
出願日： 1997年10月06日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】 薄く形成された浮遊ゲートを備えたフラッシュ型EEPROM及びその製造方法を提供する。【解決手段】 トンネル酸化膜上に浮遊ゲート用多結晶シリコン層を形成した後に、この上に堆積層となる透過膜を形成することにより、既存のイオン注入機を用いても、イオンの運動エネルギーを低い値に安定させることとして、形成された浮遊ゲート用多結晶シリコン層を従来より薄く1300Å以下に形成しても、注入されるイオンが浮遊ゲート用多結晶シリコン膜を通過してトンネル酸化膜に損傷を与えることがないようにする。浮遊ゲートを薄く形成できることにより工期の短縮が図られ、イオンのエネルギーのばらつきを抑えることにより製造歩留まりを向上させる。堆積層としては、アモルファスシリコン膜、酸化膜、浮遊ゲート層とは粒径の異なる多結晶シリコン膜が利用可能である。
請求項（抜粋）：
基板の上にフィールド酸化膜とトンネル酸化膜、浮遊ゲート、層間絶縁膜、及び制御ゲートが順次形成され、基板内にソース領域及びドレイン領域が形成された不揮発性半導体記憶装置であって、前記浮遊ゲートの厚さが1300Å以下であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (5件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 21/265
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 21/265 P
, H01L 27/10 434
