不揮発性半導体記憶装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：菅野中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-036353
公開番号（公開出願番号）：特開平10-233458
出願日： 1997年02月20日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：

【要約】【課題】メモリセルにおいて、チャネリング起因のゲート酸化膜中へのダメージ発生を防止することによるメモリセル用ゲート酸化膜の特性向上,ゲート酸化膜特性向上に起因するメモリセルの信頼性向上,メモリセル内に結晶成長各領域を設定しないことによるメモリセルの高集積化を実現する。【解決手段】浮遊ゲート電極用シリコン膜に極薄の半導体酸化膜5を有する他結晶シリコン薄膜4を用いることにより、リンのイオン注入時のチャネリングを防止する。

請求項（抜粋）：

第1多結晶膜形成工程と、第2多結晶膜形成工程と、拡散層形成工程とを有する不揮発性半導体記憶装置の製造方法であって、第1多結晶膜形成工程は、半導体基板上の素子領域に第1のゲート絶縁膜を形成した後、膜中に極薄の半導体酸化膜を有する第1の半導体多結晶薄膜を半導体基板表面に形成する処理であり、第2多結晶膜形成工程は、前記第1の半導体薄膜を第1電導型の半導体膜にするための不純物をイオン注入した後、該半導体基板上に第2のゲート絶縁膜,第2の半導体多結晶薄膜を順次形成する処理であり、拡散層形成工程は、前記積層構造を2層ゲート電極の形状に加工した後、該ゲート電極をマスクにして不純物を注入し、ソース・ドレイン拡散層を形成する処理であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-208574
特開平2-077161
不揮発性メモリとその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-141568 出願人：日本電気株式会社

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