特許
J-GLOBAL ID:200903036504360148
リトグラフ装置及びデバイス製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
浅村 皓
, 浅村 肇
, 安藤 克則
, 池田 幸弘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-374968
公開番号(公開出願番号):特開2004-289117
出願日: 2003年09月29日
公開日(公表日): 2004年10月14日
要約:
【課題】DUV及びEUVリトグラフの両方で効果的に用いることができる、分子汚染のその場での制御を行う手段を有するリトグラフ投影装置を提供する。【解決手段】投影放射線ビームを供給するための放射線機構;前記投影ビームを希望のパターンに従いパターン化する働きをするパターン化部材を支持するための支持構造体;基体を支持するための基体テーブル;及び基体の目標部分にパターン化されたビームを投影するための投影機構;を具えたリトグラフ投影装置。【選択図】図1
請求項(抜粋):
- 投影放射線ビームを供給するための放射線機構;
- 前記投影ビームを希望のパターンに従いパターン化する働きをするパターン化手段を支持するための支持構造体;
- 基体を保持するための基体テーブル;
- 基体の目標部分にパターン化されたビームを投影するための投影機構;
を具えたリトグラフ投影装置であって、
- 次のもの:
- 一種類以上の過ハロゲン化C1〜C6アルカン;及び
- 本質的に一つ以上の窒素原子、及び水素、酸素、及びハロゲンから選択された一つ以上の原子からなる一種類以上の化合物;
の少なくとも一方を前記装置中の空間に供給するための供給手段を特徴とするリトグラフ投影装置。
IPC (2件):
FI (3件):
H01L21/30 503G
, G03F7/20 521
, H01L21/30 516F
Fターム (4件):
5F046AA22
, 5F046CA04
, 5F046DA27
, 5F046GA03
引用特許: