特許
J-GLOBAL ID：200903010825065246
光学要素上の汚染を防止し、クリーニングするためのデバイス、EUVリソグラフィーデバイスおよび方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-573498
公開番号（公開出願番号）：特表2005-519333
出願日： 2003年03月07日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：
本発明は、多層系の照射された表面からの発光により発生する光電流を測定することにより残留ガス雰囲気を含む真空化された閉じた系の中で信号波長での照射への光学要素の暴露の間、多層系を含む光学要素の表面上の汚染を防止するための方法に関する。光電流は、残留ガスのガス組成を調節するために用いられる。ガス組成は、光電流の少なくとも1つの下方および少なくとも1つの上方しきい値により変化する。本発明はまた、暴露の間少なくとも1つの光学要素の表面上の汚染を調節するためのデバイスおよびEUVリソグラフィーデバイスおよび炭素により汚染される光学要素の表面をクリーニングするための方法にも関する。
請求項（抜粋）：
残留ガス雰囲気を有する排気された閉じた系における信号波長のEUV照射への暴露の間に多層系を有する光学要素の表面上の汚染を防止するための方法にして、前記多層系の照射された表面からの光電子放出により発生する光電流を測定し、前記光電流を残留ガスのガス組成を制御するために用いる方法であって、前記残留ガスのガス組成を、光電流の少なくとも1つの下方しきい値および少なくとも1つの上方しきい値の関数として変化させることを特徴とする方法。
IPC (4件)：
G03F7/20
, G21K1/06
, G21K5/00
, H01L21/027
G03F7/20 503
, G21K1/06 B
, G21K5/00 B
, G21K5/00 Z
, H01L21/30 503G
, H01L21/30 517
, H01L21/30 531A
2H097BA04
, 2H097BB10
, 2H097CA13
, 2H097CA15
, 5F046AA22
, 5F046CB02
, 5F046CB03
, 5F046DA12
, 5F046DB01
, 5F046GA14
, 5F046GB01
