特許
J-GLOBAL ID：200903036507673600
圧電トランスデューサの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石井 暁夫 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-028286
公開番号（公開出願番号）：特開2003-231263
出願日： 2002年02月05日
公開日（公表日）： 2003年08月19日
要約：
【要約】【課題】 全変位部について同一の駆動電圧を用いても、変形量が均一となり、印字品質が良好である圧電トランスデューサを提供する。【解決手段】 液室に1対1で対応するように複数に分割された内部個別電極層440を表面に形成した圧電セラミックス層400と、内部共通電極層420とその電極取り出し部を表面に形成した圧電セラミックス層400とを交互に所要枚数積層し、圧電トランスデューサを得る。共通電極層の電極取り出し部および内部個別電極層440が露出している箇所に外部電極520、外部電極540を設け、静電容量測定装置640を用いて、各外部電極520、540との間の静電容量を測定する。その静電容量の測定値に応じて、各外部電極520、540との間に、分極装置680により、異なる電界を印加し、分極処理を施す。
請求項（抜粋）：
圧電セラミックス層と、その圧電セラミックス層のそれぞれ異なる部分を挟んで配置された複数対の電極とを備え、各対の電極に挟まれる圧電セラミックス層を変位部とする圧電トランスデューサにおいて、前記各変位部の静電容量を測定し、その静電容量の大きさに基づいて、前記各変位部を分極条件を変えて分極することを特徴とする圧電トランスデューサの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
B41J 3/04 103 H
, H01L 41/22 Z
2C057AG47
, 2C057AP02
, 2C057AP82
