特許

J-GLOBAL ID：200903036516229900

半導体記憶装置

発明者： 安 義彦 ,  酒井 寛之 ,  マイケル・ダブリュー・イェーガー ,  ドナルド・ジェイ・ヴァーヘイ
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-069491
公開番号（公開出願番号）：特開平10-106275
出願日： 1997年03月24日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】 複数のブロック単位で書き込み禁止/許可の設定が可能な、書き換え保護のかかったROM部とRAM部とが自由に設定でき、システムの暴走等による誤設定が防止できる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 半導体記憶装置は、複数のブロックに分割され、リードサイクルとライトサイクルのアドレスアクセス時間が互いに実質的に同一である不揮発性メモリ素子を有するメモリアレイと、前記複数のブロック毎に書き込み禁止/許可情報を格納する複数の記憶素子と、前記記憶素子への書き込み禁止/許可情報の設定を行う設定回路とを具備し、前記設定回路は、所定の複数のリードサイクル後のライトサイクルで書き込み禁止情報を前記記憶素子に設定する。

請求項（抜粋）：

複数のブロックに分割され、リードサイクルとライトサイクルのアドレスアクセス時間が互いに実質的に同一である不揮発性メモリ素子を有するメモリアレイと、前記複数のブロック毎に書き込み禁止/許可情報を格納する複数の記憶素子と、前記記憶素子への書き込み禁止/許可情報の設定を行う設定手段とを具備する半導体記憶装置であって、前記設定手段は、所定の複数のリードサイクル後のライトサイクルで書き込み禁止情報を前記記憶素子に設定することを特徴とする半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-106484   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-282007   出願人：株式会社日立製作所
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-262648   出願人：シャープ株式会社
• RAMライトプロテクト回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-251309   出願人：沖電気工業株式会社, 日本高速通信株式会社
• 特開昭56-134400