特許

J-GLOBAL ID：200903036544794264

薄膜多層回路基板とその製造方法

発明者： 染田 博樹
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-022907
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219587
出願日： 1996年02月09日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、電子機器に用いられる薄膜多層回路基板に関し、層間樹脂膜に悪影響を与える基板加熱を行うことなく基板内に高誘電体膜を形成する。【解決手段】 ビアホールを有する樹脂製の層間絶縁層1と配線導体層2とを交互に多層積層して構成された薄膜多層回路基板において、樹脂製の層間絶縁層の一部を複合酸化物高誘電体膜に置き換えて成膜し、レーザを用いて複合酸化物高誘電体を選択的にアニールし、複合酸化物高誘電体膜ならびに該複合酸化物高誘電体膜を挟む上層配線導体層と下層配線導体層とでコンデンサを構成する。

請求項（抜粋）：

ビアホールを有する樹脂製の層間絶縁層と配線導体層とを交互に多層積層して構成された薄膜多層回路基板の内部に、複合酸化物高誘電体膜を用いたコンデンサを含むことを特徴とする薄膜多層回路基板。

IPC (3件)：

H05K 3/46 ,  H01G 4/33 ,  H05K 3/00

FI (5件)：

H05K 3/46 E ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 Q ,  H05K 3/00 L ,  H01G 4/06 102

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 薄膜多層回路基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-217479   出願人：松下電器産業株式会社
• 超微粒子膜の物性制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-229537   出願人：オムロン株式会社
• 回路基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-291298   出願人：京セラ株式会社