特許
J-GLOBAL ID：200903036566292491

半導体レーザ素子およびその製造方法

発明者：
竹岡 忠士

竹岡 忠士 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-255027
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135894
出願日： 2000年08月25日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：
【要約】【課題】 GaAsまたはGaP基板上のGaInPやGaNまたはSi基板上のGaInN、GaAsまたはGaP基板上のGaInAs、GaSb基板上のGaInSbにおけるIn量といった組成比によって歪量が変化する化合物半導体材料を用いて、発振波長を変えても、容易に最適な量子井戸活性層の構成を導くことができ、狙った波長で、狙った特性を持つ半導体レーザ素子およびその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 結晶を構成する原子の組成を変更し、バンドギャップエネルギーを変化させたとき歪量が変化する材料系からなる量子井戸活性層を備えた半導体レーザ素子において、前記量子井戸活性層の、量子井戸層が複数個あって、量子井戸層の各井戸幅が40Å以上120Å未満であると共に、前記量子井戸層が、該量子井戸層のΓ点におけるヘビーホールのエネルギー準位とライトホールにおけるエネルギー準位の差の絶対値が結晶破壊の生じない範囲で最大となる歪量に設定されてなる。
請求項（抜粋）：
結晶を構成する原子の組成を変更し、バンドギャップエネルギーを変化させたとき歪量が変化する材料系からなる量子井戸活性層を備えた半導体レーザ素子において、前記量子井戸活性層の、量子井戸層が複数個あって、量子井戸層の各井戸幅が40Å以上120Å未満であると共に、前記量子井戸層が、該量子井戸層のΓ点におけるヘビィホールのエネルギー準位とライトホールにおけるエネルギー準位の差の絶対値が結晶破壊の生じない範囲で最大となる歪量に設定されてなることを特徴とする半導体レーザ素子。
Fターム (12件)：
5F073AA26 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA53 ,  5F073AA74 ,  5F073BA04 ,  5F073CA14 ,  5F073CB02 ,  5F073DA06 ,  5F073DA23 ,  5F073EA29 ,  5F073HA10
引用特許：
審査官引用 (8件)
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