特許
J-GLOBAL ID：200903062563098920

半導体レーザ素子

発明者：
田中 俊明

田中 俊明 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-096918
公開番号（公開出願番号）：特開平10-290049
出願日： 1997年04月15日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：
【要約】【課題】p型不純物の正孔キャリア濃度レベルを適切に設定し、不純物拡散を抑制する。【解決手段】半導体レーザ素子の活性層4近傍のp型のAlGaInP光導波層中に、拡散定数が小さくキャリア濃度を拡散させずに5×1017〜1×1018cm~3の範囲を設定できるp型InGaAsP層を導入する。InGaAsP層は、AlGaInP光導波層よりも禁制帯幅が小さくなるので、薄膜層として多周期超格子層構造を構成する。
請求項（抜粋）：
V族元素として燐系を主体とする半導体結晶層の中に、V族元素に砒素系を導入した半導体結晶層を設けてあり、V族元素が砒素系である半導体層は量子サイズ効果を生ずる薄膜層として或いは薄膜層からなる多周期超格子構造として設けてあることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 29/06
FI (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 29/06
引用特許：
審査官引用 (6件)
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