半導体レーザ素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-021449
公開番号（公開出願番号）：特開平9-214058
出願日： 1996年02月07日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】戻り光雑音を防ぐと共に閾値電流の増大を防ぐことができ、横モードが安定で信頼性および高温での特性に優れた半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 n型AlGaInP第1クラッド層14、GaInP活性層15およびp型AlGaInP第2クラッド層16がこの順に積層され、その上方にストライプ状リッジ部を有するp型AlGaInP第3クラッド層18が形成されている。活性層15の近傍にはGaInP可飽和吸収層17が形成されている。電流ブロック層は、活性層から出射されるレーザ光を吸収しないn型Al0.6Ga0.4As層51とn型GaAs層52とからなり、活性層15に近い側にレーザ光を吸収しない層51が形成されている。

請求項（抜粋）：

少なくとも第1導電型の第1クラッド層、活性層および第2導電型の第2クラッド層がこの順に積層されて設けられ、該第2クラッド層上に電流狭窄用のストライプ状リッジ部における第2導電型の第3クラッド層が設けられ、該活性層の一部領域としてまたは該活性層近傍位置に、該活性層から出射されるレーザ光を吸収する可飽和吸収領域が設けられ、該ストライプ状リッジ部の両側面を埋め込んで第1導電型の電流ブロック層が設けられ、該電流ブロック層は該レーザ光を吸収する層と吸収しない層とからなり、かつ該活性層に近い側に該レーザ光を吸収しない層が設けられている半導体レーザ素子。

IPC (3件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 , H01S 3/133

FI (3件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 B , H01S 3/133

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-193875 出願人：シャープ株式会社
半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-332231 出願人：シャープ株式会社
半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-038561 出願人：三洋電機株式会社

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