特許

J-GLOBAL ID：200903036587317982

回路板の製造方法

発明者： 丸山 睦弘 ,  柏木 利典
出願人/特許権者： 旭化成株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-039182
公開番号（公開出願番号）：特開2006-228879
出願日： 2005年02月16日
公開日（公表日）： 2006年08月31日
要約：

【課題】導電性が高く、かつ基板との密着性の高い金属配線を有する回路基板の製造方法を提供すること。【解決手段】絶縁基板上に非熱可塑性ポリイミド系樹脂前駆体の溶液を塗布した後、脱溶剤および脱水縮合反応のための熱処理を行って前記前駆体の一部を非熱可塑性ポリイミド系樹脂に転化させて、非熱可塑性ポリイミド系樹脂と非熱可塑性ポリイミド系樹脂前駆体とからなる層を絶縁基板上に形成させる工程(1)と、前記の層の上に、一次粒子径が200nm以下で、加熱することによって互いに融着する金属配線形成前駆体微粒子を含有する分散体を回路形状に付与し、加熱処理することによって、残りの前記前駆体を非熱可塑性ポリイミド系樹脂に転化させると共に、前記非熱可塑性ポリイミド系樹脂からなる層の上に金属配線による回路を形成させる工程(2)とを含むことを特徴とする回路板の製造方法。【選択図】選択図なし。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に非熱可塑性ポリイミド系樹脂前駆体の溶液を塗布した後、脱溶剤および脱水縮合反応のための熱処理を行って前記前駆体の一部を非熱可塑性ポリイミド系樹脂に転化させて、非熱可塑性ポリイミド系樹脂と非熱可塑性ポリイミド系樹脂前駆体とからなる層を絶縁基板上に形成させる工程(1)と、前記の層の上に、一次粒子径が200nm以下で、加熱することによって互いに融着する金属配線形成前駆体微粒子を含有する分散体を回路形状に付与し、加熱処理することによって、残りの前記前駆体を非熱可塑性ポリイミド系樹脂に転化させると共に、前記非熱可塑性ポリイミド系樹脂からなる層の上に金属配線による回路を形成させる工程(2)とを含むことを特徴とする回路板の製造方法。

IPC (2件)：

H05K 3/10 ,  H05K 1/09

FI (2件)：

H05K3/10 D ,  H05K1/09 A

Fターム (32件)：

4E351AA04 ,  4E351BB01 ,  4E351BB31 ,  4E351CC08 ,  4E351CC22 ,  4E351DD04 ,  4E351DD05 ,  4E351DD19 ,  4E351DD20 ,  4E351DD31 ,  4E351DD39 ,  4E351DD52 ,  4E351EE11 ,  4E351EE25 ,  4E351GG09 ,  4E351GG20 ,  5E343AA02 ,  5E343AA18 ,  5E343BB24 ,  5E343BB25 ,  5E343BB44 ,  5E343BB45 ,  5E343BB48 ,  5E343BB59 ,  5E343BB72 ,  5E343BB75 ,  5E343CC04 ,  5E343DD12 ,  5E343ER35 ,  5E343FF05 ,  5E343GG02 ,  5E343GG11

引用特許：

出願人引用 (2件)

• インクジェット印刷法を利用する回路パターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-125967   出願人：ハリマ化成株式会社
• フラットパネルディスプレイの電極形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-368680   出願人：株式会社アルバック・コーポレートセンター

審査官引用 (2件)

• 配線基板及びその製造方法、半導体装置並びに電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-055641   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 導電性ナノ粒子ペースト
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-060094   出願人：ハリマ化成株式会社