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J-GLOBAL ID：200902278183908065   整理番号：03A0617825

大形GaN単結晶成長用の新しい液相エピタクシー(LPE)成長法 フラックス膜被覆液相エピタクシー(FFC-LPE)法の導入

Novel Liquid Phase Epitaxy (LPE) Growth Method for Growing Large GaN Single Crystals: Introduction of the Flux Film Coated-Liquid Phase Epitaxy (FFC-LPE) Method

著者 (6件)： KAWAMURA F (Osaka Univ., Suita, JPN) ,  MORISHITA M (Osaka Univ., Suita, JPN) ,  OMAE K (Osaka Univ., Suita, JPN) ,  YOSHIMURA M (Osaka Univ., Suita, JPN) ,  MORI Y (Osaka Univ., Suita, JPN) ,  SASAKI T (Osaka Univ., Suita, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 42  号： 8A  ページ： L879-L881  発行年： 2003年08月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大形のGaN単結晶成長用の新しいFFC-LPE法を開発した。...

シソーラス用語： *エピタクシー ,...
準シソーラス用語： FFC-LPE

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (17件)：

• 1) Z. Yu, M. A. L. Johnson, J. D. Brown, N. A. El-Masry, J. W. Cook, Jr. and J. F. Schetzina: J. Cryst. Growth 195 (1998) 333.
• 2) K. Motoki, T. Okahisa, S. Nakahata, N. Matsumoto, H. Kimura, H. Kasai, K. Takemoto, K. Uematsu, M. Ueno, Y. Kumagai, A. Koukitu and H. Seki: J. Cryst. Growth 237–239 (2002) 912.
• 3) S. Porowski: J. Cryst. Growth 166 (1996) 583.
• 4) I. Grzegory, M. Bockowski, B. Lucznik, S. Krukowski, Z. Romanowski, M. Wroblewski and S. Porowski: J. Cryst. Growth 246 (2002) 177.
• 5) H. Yamane, M. Shimada, S. J. Clarke and F. J. DiSalvo: Chem. Mater. 9 (1997) 413.

タイトルに関連する用語 (8件)： 大形 ,  GaN ,  単結晶成長 ,  液相エピタクシー ,  成長 ,  フラックス ,  FFC ,  法