シリコン結晶及びシリコン結晶ウエーハ並びにその製造方法

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-296022
公開番号（公開出願番号）：特開2002-104898
出願日： 2000年09月28日
公開日（公表日）： 2002年04月10日
要約：

【要約】【課題】製造コストを大幅に低減でき、光劣化による変換効率の低下をも防止できるシリコン結晶およびシリコン結晶ウエーハ並びにそれらの製造方法を提供する。【解決手段】シリコン結晶であって、ドープ剤としてGaとリンが添加されたものであるシリコン結晶。シリコン結晶の製造方法において、チョクラルスキー法により、Gaとリンをルツボ内のシリコン融液に添加した後、前記シリコン融液に種結晶を接触させ、これを回転しながら引き上げることによってシリコン単結晶を育成するシリコン結晶の製造方法。シリコン結晶の製造方法において、ブリッジマン法により、Gaとリンをルツボ内のシリコン融液に添加した後、前記ルツボを加熱領域から引き下げることによってシリコン多結晶を育成するシリコン結晶の製造方法。

請求項（抜粋）：

シリコン結晶であって、ドープ剤としてガリウム(Ga)とリンが添加されたものであることを特徴とするシリコン結晶。

IPC (4件)：

C30B 29/06 , C30B 29/06 502 , C01B 33/02 , H01L 21/208

FI (4件)：

C30B 29/06 A , C30B 29/06 502 H , C01B 33/02 E , H01L 21/208 P

Fターム (25件)：

4G072AA02 , 4G072BB11 , 4G072BB12 , 4G072GG01 , 4G072HH01 , 4G072JJ09 , 4G072NN21 , 4G072NN25 , 4G072UU02 , 4G077AA02 , 4G077BA04 , 4G077CF10 , 4G077EB01 , 4G077EJ02 , 4G077HA20 , 5F053AA11 , 5F053AA13 , 5F053DD01 , 5F053FF04 , 5F053GG01 , 5F053GG02 , 5F053KK10 , 5F053LL05 , 5F053RR04 , 5F053RR07

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭57-118089
温度変動を制御したSi単結晶の育成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-091430 出願人：新技術事業団, 川西荘六, 泉妻宏治, 十河慎二, 佐々木斉, 碇敦
特開昭61-163188

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