半導体発光装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：釜田淳爾 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-230639
公開番号（公開出願番号）：特開2001-057458
出願日： 1999年08月17日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：

【要約】【課題】キンクレベルが高く、低しきい値電流及び高効率を維持しつつ、高出力においてもCODすることがない高性能な半導体発光装置を提供することを提供すること。【解決手段】基板、該基板上に形成された第1導電型クラッド層、該第1導電型クラッド層上であって端面近傍を除く部分に形成された活性層、前記第1導電型クラッド層上に形成されかつ前記活性層の側面から端面まで光を導波する端部光ガイド層、少なくとも前記活性層上に形成された1層以上の第2導電型クラッド層を有することを特徴とする半導体発光装置。

請求項（抜粋）：

基板、該基板上に形成された第1導電型クラッド層、該第1導電型クラッド層上であって端面近傍を除く部分に形成された活性層、前記第1導電型クラッド層上に形成されかつ前記活性層の側面から端面まで光を導波する端部光ガイド層、少なくとも前記活性層上に形成された1層以上の第2導電型クラッド層を有することを特徴とする半導体発光装置。

IPC (3件)：

H01S 5/16 , H01S 5/223 , H01S 5/323

FI (3件)：

H01S 5/16 , H01S 5/223 , H01S 5/323

Fターム (9件)：

5F073AA13 , 5F073AA74 , 5F073AA88 , 5F073CB02 , 5F073DA05 , 5F073DA22 , 5F073EA16 , 5F073EA23 , 5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開昭58-102586
特開平3-014281
ウィンドウ構造半導体レーザの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-284270 出願人：沖電気工業株式会社

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