タンデム型太陽電池の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-390066
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197930
出願日： 2001年12月21日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】セルの配向性を向上させて開放電圧を向上させるとともに、光閉じ込め効果により発電効率が向上され、高い変換効率を得る。【解決手段】ガラス基板11上に透明導電層12を介してアモルファスSi又は結晶質Siよりなるpin型又はnip型構造の複数のセルを多段に積層し、更に前記セル上に酸化物層を介して反射用金属膜を形成した太陽電池を製造する方法において、ガラス基板11上に透明導電層12を介してpin型又はnip型構造のセル13、14を形成する際、セル13のi型のa-si発電膜13bを製膜した後、発電膜13bをArもしくはH2プラズマエッチング処理を行って平坦化することを特徴とするタンデム型太陽電池の製造方法。

請求項（抜粋）：

透明基板上に透明導電層を介してアモルファスSi又は結晶質Siよりなるpin型又はnip型構造の複数のセルを多段に積層し、更に前記セル上に酸化物層を介して反射用金属膜を形成した太陽電池を製造する方法において、透明基板上に透明導電層を介してpin型又はnip型構造のセルを形成する際、セルの一発電膜であるi型層を製膜した後、i型層をArもしくはH2プラズマエッチング処理、又はArイオンミリング処理もしくは機械研磨処理を行って平坦化することを特徴とするタンデム型太陽電池の製造方法。

Fターム (8件)：

5F051AA04 , 5F051AA05 , 5F051CA32 , 5F051CA35 , 5F051DA04 , 5F051DA17 , 5F051FA02 , 5F051GA03

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-065120
非単結晶シリコン薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-314595 出願人：富士通株式会社
統一性の高いインタコネクトと二重層接点とを備えた薄膜光起電力モジュ-ルの製造
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-198132 出願人：ビーピーソーラーレックス

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