特許
J-GLOBAL ID：200903036658859854
炭化珪素薄膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩田 享完
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-123486
公開番号（公開出願番号）：特開平10-297996
出願日： 1997年04月26日
公開日（公表日）： 1998年11月10日
要約：
【要約】【課題】 簡易で精度よくSiCの薄膜化を可能とするのが可能な炭化珪素薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】 図1(a)に示すように、炭化珪素結晶1の表面1Aに水素イオン2を注入する。このイオン注入は、所定の加速エネルギーと所定の注入量で行う。これによって、図1(b)に示すように、炭化珪素結晶1の表面1Aから所定の深度に水素4を含んだ結晶欠陥層3が発生する。次に、所定の温度で加熱処理をする。これによって、炭化珪素結晶1の結晶欠陥層3の部分の歪みが拡大して、図2に示すように、結晶欠陥層3の部分が空気層5とされ、空気層5を介して炭化珪素薄膜6が分離形成される。
請求項（抜粋）：
炭化珪素結晶を薄膜化する炭化珪素薄膜の形成方法において、上記炭化珪素結晶の内部に注入されるイオンの衝撃により結晶欠陥層を形成すると共に、この結晶欠陥層内に水素を導入し、且つ、加熱処理を施すことにより、上記結晶欠陥層の脆化を図って空気層とし、この空気層を介して薄膜化された炭化珪素結晶を分離・取得することを特徴とする炭化珪素薄膜の形成方法。
IPC (5件)：
C30B 29/36
, C30B 31/22
, H01L 21/02
, H01L 21/20
, H01L 27/12
C30B 29/36
, C30B 31/22
, H01L 21/02 B
, H01L 21/20
, H01L 27/12 B
