特許
J-GLOBAL ID：200903036689596576

分布帰還型半導体レーザ装置

発明者：
鬼頭 雅弘

鬼頭 雅弘 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 小笠原 史朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-155383
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356571
出願日： 2003年05月30日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：
【課題】本発明の目的は、反射戻り光による影響を受けることなく、かつ高い単一波長発振確率を有する分布帰還型(DFB)半導体レーザ装置を提供可能とすることである。【解決手段】本発明に係る分布帰還型半導体レーザ装置は,基板1と、基板上に形成された多層構造とを備え、多層構造は、少なくとも活性層5を有する光導波領域と、光導波領域の共振方向に周期構造を有しており、当該光導波領域の略全面に形成される第1の回折格子2と、光導波領域の共振方向に周期構造を有しており、当該光導波領域のレーザ光を出射する端面近傍に形成される第2の回折格子9とを含み、第1の回折格子2は、部分的に周期構造の位相が不連続である位相シフト部18を有している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上に形成された多層構造とを備え、 前記多層構造は、 少なくとも活性層を有する光導波領域と、 前記光導波領域の共振方向に周期構造を有しており、当該光導波領域の略全面に形成される第1の回折格子と、 前記光導波領域の共振方向に周期構造を有しており、当該光導波領域のレーザ光を出射する端面近傍に形成される第2の回折格子とを含み、 前記第1の回折格子は、部分的に周期構造の位相が不連続である位相シフト部を有する、分布帰還型半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
H01S5/12 ,  H01S5/323
FI (2件)：
H01S5/12 ,  H01S5/323
Fターム (15件)：
5F073AA07 ,  5F073AA22 ,  5F073AA45 ,  5F073AA61 ,  5F073AA64 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073BA02 ,  5F073CA12 ,  5F073CA14 ,  5F073CB02 ,  5F073CB06 ,  5F073CB22 ,  5F073EA03 ,  5F073EA26
引用特許：
審査官引用 (7件)
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