特許
J-GLOBAL ID：200903036821798981
半導体装置およびその作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-018050
公開番号（公開出願番号）：特開平11-202368
出願日： 1998年01月14日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：
【要約】【課題】 高精細かつ高コントラストなAMLCDを実現する。【解決手段】 第1の導電層101上に絶縁層102を設け、当該絶縁層102に対して開孔部103を形成する。次に、酸化物導電層104を形成した後、エッチバック法等の手段により酸化物導電層104を後退させる。そして開孔部103が酸化物導電層104で充填された状態を実現する。こうすることで平坦性を確保したまま第1の導電層101と画素電極105とを電気的に接続することができる。
請求項（抜粋）：
異なる層に形成された二層の導電層と、当該二層の導電層に挟まれた絶縁層とを有する半導体装置であって、前記二層の導電層は前記絶縁層に設けられた開孔部を埋め込む様に形成された酸化物導電層を介して互いに電気的に接続された構造を有していることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, H01L 21/768
, H01L 29/786
G02F 1/136 500
, H01L 21/90 A
, H01L 29/78 612 C
