特許
J-GLOBAL ID：200903036830695532

有機半導体装置、ならびにそれを用いた表示装置および撮像装置

発明者：
安達 千波矢

安達 千波矢 について

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菅沼 直俊

菅沼 直俊 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について

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パイオニア株式会社

パイオニア株式会社 について

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株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について

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三菱化学株式会社

三菱化学株式会社 について

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ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (2件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-013529
公開番号（公開出願番号）：特開2005-209455
出願日： 2004年01月21日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：
【課題】有機半導体層内における正孔および電子の再結合または光電変換を効率的に生じさせることができる有機半導体装置を提供する。また、特性の変更が可能であり、融通性の高い有機半導体装置を提供する。 【解決手段】有機半導体層1の一方側に正孔注入電極8および電子注入電極9が間隔をあけて配置されている。有機半導体層1の反対側に、ゲート絶縁膜7を挟んで、正孔注入電極8および電子注入電極9にそれぞれ対向するように、正孔側ゲート電極5および電子側ゲート電極6が配置されている。ゲート制御回路12によって正孔側ゲート電極5および電子側ゲート電極6に個別に制御電圧Vgp,Vgnを印加することにより、注入されるキャリヤのバランスを適切に定めることができ、高効率の発光動作が可能になる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
電子および正孔が移動可能なバイポーラ性の有機半導体層と、 この有機半導体層との間で正孔を授受する正孔授受電極と、 この正孔授受電極との間に所定の間隔を開けて設けられ、上記有機半導体層との間で電子を授受する電子授受電極と、 絶縁層を挟んで上記有機半導体層の上記正孔授受電極寄りの領域に対向し、上記有機半導体層内における正孔の分布を制御する正孔側ゲート電極と、 絶縁層を挟んで上記有機半導体層の上記電子授受電極寄りの領域に対向し、上記有機半導体層内における電子の分布を制御する電子側ゲート電極とを含むことを特徴とする有機半導体装置。
IPC (4件)：
H05B33/26 ,  H01L27/146 ,  H04N5/335 ,  H05B33/14
FI (4件)：
H05B33/26 Z ,  H04N5/335 U ,  H05B33/14 A ,  H01L27/14 C
Fターム (14件)：
3K007AB03 ,  3K007BA06 ,  3K007CC00 ,  3K007DB03 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA14 ,  4M118CA15 ,  4M118FB03 ,  4M118FB08 ,  4M118FB09 ,  4M118FB23 ,  4M118FB25 ,  5C024CY47
引用特許：
出願人引用 (4件)
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