特許
J-GLOBAL ID：200903036850572933
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-262133
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085466
出願日： 1999年09月16日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：
【要約】【課題】 従来の導電性接着剤を用いた半導体装置の製造方法では、半導体素子の電極間ピッチが狭くなると導電性接着剤のはみ出しによる隣接間ショートなどの接続不良の割合が高まる。【解決手段】 半導体素子1上の突起電極3と半導体キャリアの配線電極とを接続するに際し、半導体素子1は導電性接着剤中の溶剤の放出を加速するように40[°C]〜45[°C]の温度のボンディング用の治具6により保持され、半導体素子1の突起電極3に導電性接着剤7が転写形成される。この構成により、導電性接着剤中の溶剤量を最適化することができ、接続信頼性を確保するのに十分な量の接着材料の転写量をもって隣接間ショート不良の起こらない広がり量を得ることのできる組立歩留まりの高い半導体装置の製造方法を提供することができる。
請求項（抜粋）：
半導体素子の素子電極上に突起電極を形成する工程と、前記突起電極に導電性接着剤を供給する工程と、前記半導体素子上の前記導電性接着剤が供給された前記突起電極と半導体キャリアの電極とを位置合わせして接着する工程と、前記導電性接着剤を硬化する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記半導体素子上の前記導電性接着剤が供給された前記突起電極と半導体キャリアの電極とを位置合わせして接着する工程前に前記導電性接着剤に含まれる溶剤分の放出を加速させた後、前記半導体素子の前記突起電極と前記半導体キャリアの前記電極と接着させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Fターム (4件)：
5F044KK01
, 5F044LL07
, 5F044NN06
, 5F044PP09
