特許

J-GLOBAL ID：200903036856359280

ダイヤモンド加工体の製造方法、及び、ダイヤモンド加工体

発明者： 西林 良樹 ,  安藤 豊 ,  目黒 貴一 ,  今井 貴浩
出願人/特許権者： 財団法人ファインセラミックスセンター ,  住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-253546
公開番号（公開出願番号）：特開2002-226290
出願日： 2001年08月23日
公開日（公表日）： 2002年08月14日
要約：

【要約】【課題】 ダイヤモンド加工体の表面を十分平坦にでき且つエッチングされた側面を略垂直にできるダイヤモンド加工体の製造方法及びダイヤモンド加工体を提供すること。【解決手段】 本発明のダイヤモンド加工体の製造方法は、ダイヤモンド基板50にマスク層52を形成するステップと、マスク層52が形成されたダイヤモンド基板50に、酸素原子を含むガスとフッ素原子を含むガスとの混合ガスのプラズマによってエッチングを施すステップと、を含み、混合ガスの全原子数に対するフッ素原子の濃度が0.04%〜6%の範囲であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

エッチングによってダイヤモンド加工体を製造する方法であって、ダイヤモンド基板にマスク層を形成するステップと、前記マスク層が形成された前記ダイヤモンド基板に、酸素原子を含むガスとフッ素原子を含むガスとの混合ガスのプラズマによって前記エッチングを施すステップと、を含み、前記混合ガスの全原子数に対する前記フッ素原子の濃度が0.04%〜6%の範囲であることを特徴とするダイヤモンド加工体の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/04 ,  C01B 31/06

FI (2件)：

C30B 29/04 V ,  C01B 31/06 Z

Fターム (6件)：

4G046GB03 ,  4G077AA02 ,  4G077BA03 ,  4G077FG02 ,  4G077FG04 ,  4G077HA20

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 電子放出素子用ダイヤモンド部材、その製造方法及び電子デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-069368   出願人：住友電気工業株式会社
• フィールドエミッターを有するデバイス及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-211089   出願人：住友電気工業株式会社
• 特開平2-239191
  
• 特開昭64-068484
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Chemically and geometrically enhanced focused ion beam micromachining