特許

J-GLOBAL ID：200903036861101860

高誘電体膜の形成方法、半導体装置の製造方法並びに半導体製造装置

発明者： 鳥居 和功 ,  川原 孝昭
出願人/特許権者： 株式会社半導体先端テクノロジーズ
代理人 (2件)： 高田 守 ,  高橋 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-303394
公開番号（公開出願番号）：特開2005-072490
出願日： 2003年08月27日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：

【課題】 膜中の水素濃度、及び、配位子起因の不純物濃度が低く、かつ、スループットが高い高誘電体膜の形成方法を提供する。【解決手段】 金属原料ガス供給ライン15及び水供給ライン16とは別個に設けられたパージ用不活性ガス供給ライン14において、成膜室1直前に設けられた熱交換器8により不活性ガスを基板温度以上の温度に加熱し、成膜室1に供給する。金属原料ガス供給ライン15により基板3表面に金属錯体を供給して金属原子層を形成した後、金属錯体の供給を停止して高温不活性ガスによるパージを行う。次に、水供給ライン16により基板3表面に水(水蒸気)を供給して金属原子層を酸化した後、水の供給を停止して高温不活性ガスによるパージを行う。以上の工程を繰り返して基板3上に高誘電体膜を形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

逐次反応の繰り返しにより基板上に高誘電体膜を形成する方法であって、 前記逐次反応は、金属原料ガスを前記基板の表面に供給して、該表面に金属原子層を吸着させる工程と、 余剰の金属原料ガスと副生成物とを除去する工程と、 酸化性ガスを用いて前記金属原子層を酸化する工程と、 余剰の酸化性ガスと副生成物とを除去する工程とを含み、 前記逐次反応を行う間、基板温度以上の温度の不活性ガスをパージガスとして前記基板の表面に供給することを特徴とする高誘電体膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L21/316 ,  C23C16/44 ,  H01L29/78

FI (3件)：

H01L21/316 X ,  C23C16/44 A ,  H01L29/78 301G

Fターム (48件)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA43 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA10 ,  4K030LA15 ,  5F058BA01 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF02 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA00 ,  5F140AA24 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BD16 ,  5F140BE10 ,  5F140BE17 ,  5F140BE20 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG09 ,  5F140BG10 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG30 ,  5F140BG34 ,  5F140BG53 ,  5F140BH36 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK22 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第4389973号明細書
  

審査官引用 (4件)

• 薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-054424   出願人：株式会社デンソー
• 絶縁膜の成膜方法及びその成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-063659   出願人：日本真空技術株式会社
• 原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-307849   出願人：三星電子株式会社
• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-055472   出願人：ソニー株式会社