動作エンハンサーを備えた半導体電流スイッチング装置とそのための方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中島淳 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-552720
公開番号（公開出願番号）：特表2002-517905
出願日： 1999年06月01日
公開日（公表日）： 2002年06月18日
要約：

【要約】新規な、小面積NDRをベースにした回路を、高実装密度SRAMセルやパワーサイリスタ構造を含むさまざまな半導体回路を完成させるのに使用することができる。1つの実施態様では、NDRをベースにした回路は容量的に結合されるゲートにより補助されるスイッチオンとスイッチオフを備えた薄型垂直PNPN構造(10)を使用している。この新しいセルをベースにしたSRAMは、セル面積、待機電流、アーキテクチャ、スピード、また製造プロセスの点で、同じ容量のDRAMに匹敵する。1つの実施態様では、NDRをベースにしたSRAMセルは、たった2つの要素から構成されており、高速および低電圧で作動でき、良好なノイズマージンを有しており、また、製造プロセスにおいて主流のCMOSと相性がいい。このセルは待機電力消費を有意に低減する。

請求項（抜粋）：

半導体装置であって、極性の異なる少なくとも2つの連続領域を有するNDR装置と、NDR装置の領域の少なくとも1つに隣接して位置し、また対向している制御ポートとを含み、前記1つの領域が前記連続領域の2つの間にあるインターフェイスに対向している1つの平面に沿って1つの断面を有しており、前記制御ポートとNDR装置は、その断面の大半にわたる電位が制御ポートに対して提示されている制御電圧に応答して変化するように構成され配置され、またそれによって電流パスモードと電流ブロックモードの間でNDR装置のスイッチングを促進することを特徴とする前記半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8244 , H01L 27/11 , G11C 11/41 , H01L 29/74

FI (3件)：

H01L 27/10 381 , G11C 11/40 Z , H01L 29/74 G

Fターム (15件)：

5B015JJ07 , 5B015JJ12 , 5B015JJ21 , 5B015JJ31 , 5B015KA13 , 5B015KA28 , 5B015QQ00 , 5F005AA03 , 5F005AC02 , 5F005CA01 , 5F005GA01 , 5F083BS50 , 5F083HA02 , 5F083LA12 , 5F083LA16

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-246697 出願人：株式会社東芝
半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-212855 出願人：株式会社日立製作所
特開昭57-208177

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