特許
J-GLOBAL ID:200903036942127766
混成集積回路装置およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
芝野 正雅
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-196985
公開番号(公開出願番号):特開2003-017631
出願日: 2001年06月28日
公開日(公表日): 2003年01月17日
要約:
【要約】【課題】 従来の混成集積回路装置では、インジェクションモールドの場合は金属細線、半田接合部等をエポキシ樹脂等でコーティングするためコストの問題があり、トランスファーモールドの場合は金属基板を直接モールドする技術が存在しなかった。【解決手段】 本発明の混成集積回路装置では、トランスファーモールドにより金属基板31およびAl細線37を直接熱硬化性樹脂により一体にフルモールドする。そのことで、従来におけるリードフレーム型の混成集積回路装置と比較し、本発明では基板31全体で半導体素子35等から発生した熱を発散することができる混成集積回路装置を実現する。
請求項(抜粋):
少なくとも混成集積回路基板の表面に設けられた導電パターンと、前記導電パターンに実装された半導体素子または受動素子と、前記導線パターンと前記半導体素子または受動素子とを電気的に接続するアルミニウム細線と、前記導電パターンと接続され、出力または入力となり外部に延在されるリードと、前記基板の少なくとも表面をトランスファーモールドにより被覆する熱硬化性樹脂とから成り、前記熱硬化性樹脂は形状が球状であるフィラーを含有し、前記熱硬化性樹脂は低粘性で流動性を有することを特徴とする混成集積回路装置。
IPC (3件):
H01L 23/29
, H01L 21/56
, H01L 23/31
FI (2件):
H01L 21/56 T
, H01L 23/30 R
Fターム (11件):
4M109AA01
, 4M109BA04
, 4M109CA21
, 4M109EA11
, 4M109EB16
, 4M109EC20
, 4M109GA05
, 5F061AA01
, 5F061BA04
, 5F061CA21
, 5F061FA02
引用特許:
審査官引用 (7件)
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半導体装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-218345
出願人:株式会社日立製作所, 日立東部セミコンダクタ株式会社
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-278903
出願人:三菱電機株式会社
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半導体装置および電子装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-009229
出願人:株式会社日立製作所
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