特許
J-GLOBAL ID：200903036949688526

半導体集積回路装置とその設計方法と装置並びにプログラム

発明者：
山本 寛

山本 寛 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-067127
公開番号（公開出願番号）：特開2006-253375
出願日： 2005年03月10日
公開日（公表日）： 2006年09月21日
要約：
【課題】 セルライブラリ資源を有効利用し、ウェル電位が電源電位のセルから任意のウェル電位を給電するセルへの変換を可能とする設計方法と装置の提供。【解決手段】 能動素子が形成されるウェル101、102の電位をそれぞれ供給するタップ106、107と、ウェルと逆導電型のソース拡散領域103、104を基板表面に備えたセルを入力し、セルのタップをソース拡散領域と同一導電型に変換してソース領域とし、セルのウェル電位を任意電位に設定自在とする。タップとソースの短絡部108、109が存在するセルであって短絡部がタップと同一導電型の拡散領域である場合、短絡部をソース拡散領域と同一導電型に変換してソース領域とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ゲートが配置される領域を間に挟んで基板表層に対向配置される、同一導電型の第1、第2の拡散領域と、 前記第1、第2の拡散領域と離間して基板表層に配置され、前記第1、第2の拡散領域と同一導電型の第3の拡散領域と、 前記第1の拡散領域と前記第3の拡散領域とを電気的に接続する短絡部と、 を備えている、ことを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (4件)：
H01L 21/82 ,  G06F 17/50 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/823
FI (3件)：
H01L21/82 B ,  G06F17/50 654K ,  H01L27/08 321A
Fターム (19件)：
5B046AA08 ,  5B046BA04 ,  5B046KA06 ,  5F048AB02 ,  5F048AB10 ,  5F048AC03 ,  5F048BE03 ,  5F048BE09 ,  5F048BF11 ,  5F048BF18 ,  5F064AA04 ,  5F064CC10 ,  5F064CC12 ,  5F064DD02 ,  5F064DD05 ,  5F064EE52 ,  5F064HH06 ,  5F064HH07 ,  5F064HH12
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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