特許
J-GLOBAL ID：200903036949964930

光回路パターン及び高分子光導波路の製造方法

発明者：
大津 茂実

大津 茂実 について

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清水 敬司

清水 敬司 について

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谷田 和敏

谷田 和敏 について

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圷 英一

圷 英一 について


出願人/特許権者：
富士ゼロックス株式会社

富士ゼロックス株式会社 について


代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-361577
公開番号（公開出願番号）：特開2005-128126
出願日： 2003年10月22日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：
【課題】 非常に簡易な方法でかつ低コストで高分子光導波路をはじめとする光回路パターンを製造する方法を提供すること。【解決手段】 撥水性及び撥油性を有し150nm以上220nm以下の光により分解する高分子材料の層のパターン形成領域に、150nm以上220nm以下の光を照射して照射領域の高分子材料を分解除去することによりパターン状凹部を形成する工程、前記凹部に前記高分子材料より屈折率の高い樹脂材料を充填する工程を有する、光回路パターンの製造方法、及び基材に撥水性及び撥油性を有し150nm以上220nm以下の光により分解するクラッド形成用高分子材料の層を含むクラッド層を形成する工程、前記クラッド層のコアパターン形成領域に、150nm以上220nm以下の光を照射して照射領域の高分子材料を分解除去することによりコアパターン凹部を形成する工程、前記凹部にコア形成用樹脂材料を充填してコアを形成する工程、を有する高分子光導波路の製造方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
撥水性及び撥油性を有し150nm以上220nm以下の光により分解する高分子材料の層のパターン形成領域に、150nm以上220nm以下の光を照射して照射領域の高分子材料を分解除去することによりパターン状凹部を形成する工程、前記凹部に前記高分子材料より屈折率の高い樹脂材料を充填する工程を有する、光回路パターンの製造方法。
IPC (2件)：
G02B6/13 ,  G02B6/12
FI (2件)：
G02B6/12 M ,  G02B6/12 N
Fターム (6件)：
2H047KA04 ,  2H047PA02 ,  2H047PA22 ,  2H047QA05 ,  2H047TA42 ,  2H047TA43
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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