特許
J-GLOBAL ID：200903036950767502

窒化物半導体発光素子とその製造方法

発明者：
山本 三郎

山本 三郎 について

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荒木 正浩

荒木 正浩 について

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只友 一行

只友 一行 について

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星野 勝之

星野 勝之 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について

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国立大学法人山口大学

国立大学法人山口大学 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-015588
公開番号（公開出願番号）：特開2007-201019
出願日： 2006年01月24日
公開日（公表日）： 2007年08月09日
要約：
【課題】発光特性などが改善された窒化物半導体発光素子を簡便かつ低コストで提供する。【解決手段】窒化物系半導体発光素子において、六方晶の窒化物半導体積層構造(21-25)が支持基板(29)の一主面上に設けられており、半導体積層構造は活性層(22)を含む複数の窒化物半導体層からなり、半導体積層構造はサファイアR面基板上のラテラル結晶成長法によって形成されたものであってサファイアR面に平行なそのA面を有し、活性層のうちでラテラル結晶成長部である相対的に転位密度の低い領域(6)のみに電流注入して発光させるように電極(27、30)が配置されていることを特徴としている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
六方晶の窒化物半導体積層構造が支持基板の一主面上に設けられており、 前記半導体積層構造は活性層を含む複数の窒化物半導体層からなり、 前記半導体積層構造はサファイアR面基板上のラテラル結晶成長法によって形成されたものであって前記サファイアR面に平行なそのA面を有し、 前記活性層のうちでc軸方向へのラテラル結晶成長部である相対的に転位密度の低い領域のみに電流注入して発光させるように電極が配置されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (9件)：
5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CB04
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 特許第3139445号公報
  • 特許第3556916号公報
  • US2005/0214992A1
審査官引用 (4件)
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