特許
J-GLOBAL ID：200903060893569888
半導体素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-027477
公開番号（公開出願番号）：特開2004-260152
出願日： 2004年02月04日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：
【課題】素子の動作を安定化することが可能な半導体素子を提供する。【解決手段】この半導体素子は、少なくとも裏面の一部に転位の集中している領域8を有するn型GaN基板1と、n型GaN基板1の表面上に形成された窒化物系半導体各層(2〜6)と、転位の集中している領域8上に形成された絶縁膜12と、転位の集中している領域8以外のn型GaN基板1の裏面の領域に接触するように形成されたn側電極13とを備えている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
少なくとも裏面の一部に転位の集中している裏面領域を有する基板と、
前記基板の表面上に形成された半導体素子層と、
前記転位の集中している前記裏面領域上に形成された絶縁膜と、
前記転位の集中している前記裏面領域以外の前記基板の裏面の領域に接触するように形成された裏面側電極とを備えた、半導体素子。
IPC (4件)：
H01S5/042
, H01L21/28
, H01L33/00
, H01S5/343
H01S5/042 612
, H01L21/28 301B
, H01L33/00 C
, H01L33/00 E
, H01S5/343 610
4M104AA04
, 4M104BB02
, 4M104BB06
, 4M104CC01
, 4M104DD71
, 4M104FF02
, 4M104FF03
, 4M104FF09
, 4M104FF13
, 4M104GG04
, 5F041AA09
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA13
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA84
, 5F041CA88
, 5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA61
, 5F073AA74
, 5F073CB02
, 5F073CB22
, 5F073DA05
, 5F073DA14
, 5F073DA30
, 5F073DA35
, 5F073EA15
, 5F073FA02
, 5F073FA11
, 5F073FA27
, 5F073FA29
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (10件)
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