特許
J-GLOBAL ID：200903037008053622

プラズマCVD装置

発明者：
栗部 栄史

栗部 栄史 について


出願人/特許権者：
鐘淵化学工業株式会社

鐘淵化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-033903
公開番号（公開出願番号）：特開2002-237459
出願日： 2001年02月09日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
要約：
【要約】【課題】 大きな基板上の平面位置に依存することなく均一で優れた特性を有する半導体薄膜をより高速度で堆積させ得るプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】 プラズマCVD装置は、プラズマCVD反応室内において成膜基板を支持するための基板支持電極と、基板に対面すべき対向電極とを備え、対向電極は中空であってかつ基板に向けて反応ガスを吹出すために複数のガス吹出孔3bを有するガス吹出面板3aを含み、このガス吹出面板3aが基板と対向する面において、プラズマの発生を促進するためのプラズマ促進溝3gが形成されている。
請求項（抜粋）：
プラズマCVD反応室と、前記反応室内において成膜用基板を支持するための基板支持電極と、前記基板に対面すべき対向電極とを備え、前記対向電極は中空であって、前記基板に向けて反応ガスを吹出すために、複数のガス吹出孔を有するガス吹出面板を含み、前記ガス吹出面板が前記基板と対向する面において、プラズマの発生を促進するためのプラズマ促進溝が形成されていることを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/505 ,  H01L 31/04
FI (3件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/505 ,  H01L 31/04 B
Fターム (28件)：
4K030AA06 ,  4K030BA29 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030JA03 ,  4K030JA09 ,  4K030JA16 ,  4K030KA15 ,  4K030KA17 ,  4K030KA30 ,  4K030LA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AC01 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045BB09 ,  5F045CA13 ,  5F045EH04 ,  5F045EH05 ,  5F045EH07 ,  5F045EH08 ,  5F045EH14 ,  5F045EH19 ,  5F051AA04 ,  5F051CA15 ,  5F051CA23
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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