特許
J-GLOBAL ID:200903037044698931
表面処理装置及び表面処理方法
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴江 武彦 (外5名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-199720
公開番号(公開出願番号):特開2002-012977
出願日: 2000年06月30日
公開日(公表日): 2002年01月15日
要約:
【要約】【課題】本発明は、1m×1m乃至2m×2m級の大面積基板に対しても高速活均一性に優れた膜を形成することを課題とする。【解決手段】内部に基板がセットされる,排気系を備えた真空容器51と、この真空容器51内に放電用ガスを導入する放電用ガス導入系と、前記真空容器内に前記基板と対向して配置された電極52と、電極52に高周波電力を供給して放電用ガスを放電させてプラズマを生成する電力供給系とを具備し、生成したプラズマを利用して真空容器51に配置される基板の表面を処理する表面処理装置において、前記電力供給系による前記電極52への電力供給箇所65a〜65pは、前記電極の全表面のうち、プラズマが生成される空間に接する第1の面と、該第1の面の裏側である第2の面との境界の側面に位置することを特徴とする表面処理装置。
請求項(抜粋):
内部に基板がセットされる,排気系を備えた真空容器と、この真空容器内に放電用ガスを導入する放電用ガス導入系と、前記真空容器内に前記基板と対向して配置された電極と、この電極に高周波電力を供給して放電用ガスを放電させてプラズマを生成する電力供給系とを具備し、生成したプラズマを利用して真空容器に配置される基板の表面を処理する表面処理装置において、前記電力供給系による前記電極への電力供給箇所は、前記電極の全表面のうち、プラズマが生成される空間に接する第1の面と、該第1の面の裏側である第2の面との境界の側面に位置することを特徴とする表面処理装置。
IPC (8件):
C23C 16/509
, C23C 16/42
, G02F 1/13 101
, G02F 1/1333 500
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
, H01L 21/31
, H05H 1/46
FI (8件):
C23C 16/509
, C23C 16/42
, G02F 1/13 101
, G02F 1/1333 500
, H01L 21/205
, H01L 21/31 C
, H05H 1/46 M
, H01L 21/302 C
Fターム (42件):
2H088FA19
, 2H088FA30
, 2H088HA01
, 2H088HA08
, 2H088MA20
, 2H090JB02
, 2H090JB04
, 2H090JC07
, 2H090JC09
, 2H090LA04
, 4K030AA06
, 4K030BA30
, 4K030BB03
, 4K030BB04
, 4K030EA04
, 4K030EA11
, 4K030FA01
, 4K030KA15
, 4K030KA17
, 4K030KA18
, 4K030KA24
, 4K030KA30
, 4K030LA16
, 5F004AA00
, 5F004BA04
, 5F004BB11
, 5F004BB13
, 5F004CA03
, 5F004DA01
, 5F004DA13
, 5F004DA18
, 5F045AB02
, 5F045AB04
, 5F045AC01
, 5F045AD05
, 5F045AD06
, 5F045AD07
, 5F045BB01
, 5F045CA13
, 5F045EH01
, 5F045EH13
, 5F045EH19
引用特許:
出願人引用 (5件)
-
シリコン膜の形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-194766
出願人:日新電機株式会社
-
プラズマ発生装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-139515
出願人:島田理化工業株式会社
-
プラズマCVD装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-094598
出願人:三菱重工業株式会社
全件表示
審査官引用 (4件)