特許

J-GLOBAL ID：200903037044865218

III族窒化物半導体積層物

発明者： 酒井 浩光 ,  奥山 峰夫
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (5件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  小林 良博 ,  西山 雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-298871
公開番号（公開出願番号）：特開2005-142543
出願日： 2004年10月13日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
要約：

【課題】 結晶性が良好でかつクラックのない厚膜AlGaNを有するIII族窒化物半導体積層物を提供すること。【解決手段】 基板上にAlNからなる第1窒化物半導体層、該第1窒化物半導体層上のAlx1Ga1-x1N(0≦x1≦0.1)からなる第2窒化物半導体層および該第2窒化物半導体層上のAlx2Ga1-x2N(0<x2<1かつx1+0.02≦x2)からなる第3窒化物半導体層を有することを特徴とするIII族窒化物半導体積層物。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上にAlNからなる第1窒化物半導体層、該第1窒化物半導体層上のAlx1Ga1-x1N(0≦x1≦0.1)からなる第2窒化物半導体層および該第2窒化物半導体層上のAlx2Ga1-x2N(0<x2<1かつx1+0.02≦x2)からなる第3窒化物半導体層を有することを特徴とするIII族窒化物半導体積層物。

IPC (3件)：

H01L33/00 ,  H01L21/205 ,  H01S5/343

FI (3件)：

H01L33/00 C ,  H01L21/205 ,  H01S5/343 610

Fターム (36件)：

5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F045DA57 ,  5F045DA67 ,  5F045EE12 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AP06 ,  5F173AQ12 ,  5F173AQ14 ,  5F173AQ15

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 窒化インジウムガリウム半導体の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-106555   出願人：日亜化学工業株式会社

審査官引用 (2件)

• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及び窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-228904   出願人：松下電器産業株式会社
• 窒化物化合物半導体のエピタキシャル成長
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-011695   出願人：ユナイテッドエピタクシーカンパニーリミッテッド