特許
J-GLOBAL ID：200903037075531067
半導体集積回路の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-027966
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223841
出願日： 1997年02月12日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：
【要約】【課題】 シリコンを主材料とする膜を電極として活用し、コンデンサの特性を向上するものである。【解決手段】 誘電体層であるシリコン窒化膜43に連続してa-Si44を形成し、このa-Siを熱処理して、電極および保護膜として活用するもので、a-Si成膜温度が低いため欠陥等の誘発を抑制する。また絶縁層80に低温領域でa-Si84を形成し、この後不純物をイオン注入し、熱処理を加える。絶縁層に高温領域で直接ポリシリコンを付けるのと異なり、低温領域でa-Siを直接付けると、熱処理を加えても膜の表面は膜付け時のa-Si膜と実質変わらないほどの平坦で形成でき、目的のサイズにエッチングできバラツキが低減できる。
請求項（抜粋）：
コンデンサが内蔵された半導体集積回路の製造方法であり、前記半導体集積回路の絶縁層から露出された拡散領域でなる下層電極上に前記コンデンサの誘電体層を形成する、または前記絶縁層の上に形成された金属またはポリシリコンより成る下層電極の上に前記コンデンサの誘電体層を形成し、前記誘電体層の上に、アモルファス形成温度でシリコン層を形成し、前記シリコン層に不純物を導入した後、前記シリコン層の表面粗度を維持しながら熱処理して前記不純物を拡散し、この拡散されたシリコン層を前記コンデンサの電極として活用する事を特徴とした半導体集積回路の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/265
H01L 27/04 C
, H01L 21/265 P
