半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-073391
公開番号（公開出願番号）：特開平9-266178
出願日： 1996年03月28日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】【課題】過酸化水素系の処理を行っても、高融点金属層からなる配線もしくは電極を溶かさない方法を提供すること。【解決手段】高融点金属膜からなる電極もしくは配線は、その周囲に高融点金属酸化物層が配置され、その形成方法は、被処理基板上に多結晶シリコン膜もしくは薄いシリコン酸化膜を形成し、その上に高融点金属を堆積する工程と、前記高融点金属膜を異方性エッチングする工程と、高融点金属膜が露出した面に高融点金属酸化物層を形成する工程と、からなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

高融点金属からなり、その側面が高融点金属酸化物層に囲まれた電極もしくは配線を具備する半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/28 , H01L 21/3205 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 21/28 301 R , H01L 21/28 B , H01L 21/88 M , H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-236783 出願人：株式会社東芝
特開平2-047871
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-039272 出願人：株式会社東芝

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