特許
J-GLOBAL ID：200903037130623456

不揮発性半導体記憶装置

発明者：
松岡 泰之

松岡 泰之 について

, 
福住 嘉晃

福住 嘉晃 について

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青地 英明

青地 英明 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (2件)： 伊丹 勝 ,  田村 和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-002992
公開番号（公開出願番号）：特開2008-171968
出願日： 2007年01月11日
公開日（公表日）： 2008年07月24日
要約：
【課題】円柱型構造のトランジスタからなるメモリの特性を向上させる。【解決手段】電気的に書き換え可能な複数のメモリセルが直列に接続された複数のメモリ列を有する不揮発性半導体記憶装置であって、メモリ列は、柱状半導体と、柱状半導体の周囲に形成された絶縁膜と、絶縁膜の周囲を介して形成されたゲート電極となる第1から第nの電極(nは2以上の自然数)とを有しており、第1から第nの電極の間の各々の領域において、絶縁膜の周囲を介して形成された層間電極と、を有していることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置を提供することにより上記課題を解決する。【選択図】図32
請求項（抜粋）：
電気的に書き換え可能な複数のメモリセルが直列に接続された複数のメモリ列を有する不揮発性半導体記憶装置であって、 前記メモリ列は、柱状半導体と、前記柱状半導体の周囲に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜を介して周囲に形成されたゲート電極となる第1から第nの電極(nは2以上の自然数)とを有しており、 前記第1から第nの電極の間の各々の領域において、前記絶縁膜を介して周囲に形成された層間電極と、 を有していることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (2件)：
H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371
Fターム (31件)：
5F083EP18 ,  5F083EP23 ,  5F083EP33 ,  5F083EP34 ,  5F083EP76 ,  5F083ER03 ,  5F083ER06 ,  5F083ER14 ,  5F083ER19 ,  5F083GA10 ,  5F083JA33 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083NA01 ,  5F083PR09 ,  5F083PR25 ,  5F083PR40 ,  5F101BA45 ,  5F101BB05 ,  5F101BC02 ,  5F101BD16 ,  5F101BD22 ,  5F101BD30 ,  5F101BD34 ,  5F101BD35 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BH11
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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