特許
J-GLOBAL ID：200903055288944711

不揮発性半導体記憶装置、その製造方法及びその動作方法

発明者：
杉田 靖博

杉田 靖博 について

, 
山内 祥光

山内 祥光 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-264158
公開番号（公開出願番号）：特開2003-078042
出願日： 2001年08月31日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：
【要約】【課題】 仮想接地型構造で、チャネルFN書き換えを実現し、微細化及び書き込みの高速化を実現することを課題とする。【解決手段】 半導体基板の表面層に形成されたドレイン拡散領域及びソース拡散領域と、ソース及びドレイン拡散領域間に形成された第1絶縁膜と、第1絶縁膜上に形成された浮遊ゲートと、浮遊ゲート上に形成された第2絶縁膜と、第2絶縁膜上に形成された第1制御ゲートと、第1制御ゲート上とその側壁及び浮遊ゲートの側壁に形成された第3絶縁膜と、第1制御ゲート上に第3絶縁膜を介して形成された第2制御ゲートとからなるセルを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置により上記の課題を解決する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面層に形成されたドレイン拡散領域及びソース拡散領域と、ソース及びドレイン拡散領域間に形成された第1絶縁膜と、第1絶縁膜上に形成された浮遊ゲートと、浮遊ゲート上に形成された第2絶縁膜と、第2絶縁膜上に形成された第1制御ゲートと、第1制御ゲート上とその側壁及び浮遊ゲートの側壁に形成された第3絶縁膜と、第1制御ゲート上に第3絶縁膜を介して形成された第2制御ゲートとからなるセルを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (2件)：
H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371
Fターム (27件)：
5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP27 ,  5F083EP28 ,  5F083EP55 ,  5F083EP56 ,  5F083ER09 ,  5F083ER19 ,  5F083ER30 ,  5F083GA09 ,  5F083JA04 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083KA06 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083NA01 ,  5F083NA06 ,  5F083PR39 ,  5F101BA01 ,  5F101BB03 ,  5F101BB05 ,  5F101BC01 ,  5F101BC02 ,  5F101BE06 ,  5F101BE07
引用特許：
審査官引用 (3件)

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