磁気抵抗効果を用いた不揮発固体メモリ素子およびメモリとその記録再生方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西山恵三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-295704
公開番号（公開出願番号）：特開2002-176150
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
要約：

【要約】【課題】従来の磁気抵抗効果素子をメモリ素子としたMRAMにおいては、作成プロセスが困難な点があり、デバイスの構造の点からセル面積を小さくし集積度を上げることが難しかった。本発明では、作成プロセスを複雑化することなく、高い集積度を達成可能なMRAMの実現を目的とする。【解決手段】トランジスタ構造を有する基板1上に磁気抵抗素子9と、該磁気抵抗素子の上部に設けられたビット線6と、書き込み線10が形成されたメモリにおいて、トランジスタのドレイン領域3の直上に、該磁気抵抗素子9が形成されていることを特徴とするメモリ。

請求項（抜粋）：

基板と該基板上に形成された、少なくとも第1磁性膜と第2磁性層を有し、前記第1と第2磁性層間に非磁性層が挟まれた構造を有する磁気抵抗素子、と前記磁気抵抗素子の前記基板と対向する側に設けられたビット線と、前記第1磁性層または第2磁性層の磁化方向を電流によって発生する磁界により変化させる書き込み線と、トランジスタと、からなるメモリにおいて、前記トランジスタのドレイン領域の直上に、前記磁気抵抗素子が形成されていることを特徴とするメモリ。

IPC (2件)：

H01L 27/105 , H01L 43/08

FI (2件)：

H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447

Fターム (9件)：

5F083FZ10 , 5F083GA09 , 5F083JA19 , 5F083JA37 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (4件)

磁性薄膜素子および磁性薄膜メモリ素子およびその記録再生方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-015633 出願人：キヤノン株式会社
強誘電体メモリおよびそのパッケージング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-245025 出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
磁気素子、磁気メモリおよび光磁気素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-241567 出願人：株式会社東芝

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