強誘電体メモリおよびそのパッケージング方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-245025
公開番号（公開出願番号）：特開平11-243179
出願日： 1998年08月31日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：

【要約】【課題】低抵抗の下部電極と結晶配向性の高い強誘電体層を有し、信頼性の高い強誘電体メモリを提供する。【解決手段】下部電極(21)、強誘電体層(22)および上部電極(23)を積層したキャパシタ(20)を有する強誘電体メモリであって、下部電極(21)がIrO2 またはRuO2 からなる酸化物層(211)とIrまたはRuからなる金属層(212)との積層構造を有し、これらの2層がヘテロエピタキシャルの関係にある。

請求項（抜粋）：

下部電極、強誘電体層および上部電極を積層したキャパシタを有する強誘電体メモリにおいて、前記下部電極が少なくともIrまたはRuからなる金属層を有し、かつ前記強誘電体層が互いにヘテロエピタキシャルの関係にある前記金属層と酸化物層との積層構造上に形成されていることを特徴とする強誘電体メモリ。

IPC (6件)：

H01L 27/10 451 , B29C 45/14 , H01L 21/56 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , B29L 31:34

FI (4件)：

H01L 27/10 451 , B29C 45/14 , H01L 21/56 T , H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (6件)

誘電体キャパシタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-004463 出願人：ローム株式会社
強誘電体キャパシタ用セラミック電極
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-295670 出願人：ソニー株式会社
誘電体薄膜素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-199227 出願人：株式会社村田製作所

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